一、設(shè)備定位：適配半導(dǎo)體全階段研發(fā)與中試需求

二、核心技術(shù)參數(shù) 適配半導(dǎo)體精密涂覆工藝

• 基底適配范圍廣：可加工最大200mm圓形半導(dǎo)體晶圓、150×150mm方形基板，同時(shí)支持各類晶圓碎片、異形定制基底加工，充分滿足半導(dǎo)體新材料、新結(jié)構(gòu)的研發(fā)測試需求

• 精準(zhǔn)轉(zhuǎn)速控制系統(tǒng)：采用分段轉(zhuǎn)速設(shè)計(jì)，低速50-99rpm適配厚膠平鋪工藝，高速100-8000rpm適配薄膠精密涂覆，200mm卡盤工況下轉(zhuǎn)速控制精度可達(dá)±1rpm，有效保障薄膜厚度均勻性

• 可調(diào)式加速度體系：最大加速度可達(dá)4000rpm/s且支持無級調(diào)節(jié)，可根據(jù)光刻膠、介質(zhì)膜、鈍化膜等不同涂層材料特性，定制升降速曲線，避免涂覆過程中出現(xiàn)薄膜褶皺、厚薄不均、邊緣瑕疵等問題

• 精細(xì)化工藝調(diào)控：旋涂時(shí)間調(diào)控范圍1-999s，支持200組工藝配方存儲(chǔ)，每組配方可設(shè)置40步細(xì)分工藝，可固化成熟半導(dǎo)體涂覆工藝，保障多次實(shí)驗(yàn)、批量試樣的工藝一致性

• 穩(wěn)定吸附結(jié)構(gòu)：配備專用真空吸附卡盤，固定基底穩(wěn)固性強(qiáng)，可有效規(guī)避高速旋涂過程中晶圓偏移、抖動(dòng)問題，適配半導(dǎo)體高精度微納涂覆場景

三、半導(dǎo)體行業(yè)核心應(yīng)用場景

1. 半導(dǎo)體晶圓光刻膠涂覆

2. MEMS與微納器件薄膜制備

3. 半導(dǎo)體新材料工藝驗(yàn)證

4. 光電半導(dǎo)體芯片加工

四、設(shè)備核心優(yōu)勢 貼合半導(dǎo)體行業(yè)使用需求

• 工藝兼容性強(qiáng)：覆蓋厚膠、薄膠、聚合物、介質(zhì)材料等多種半導(dǎo)體涂覆材料，適配多品類半導(dǎo)體器件加工，一機(jī)滿足多元化研發(fā)、中試需求，降低設(shè)備采購與運(yùn)維成本

• 工藝可重復(fù)性高：高精度轉(zhuǎn)速控制與程序化工藝設(shè)置，可有效規(guī)避人工操作誤差，保障不同批次試樣的薄膜厚度、均勻性高度一致，滿足半導(dǎo)體工藝標(biāo)準(zhǔn)化研發(fā)要求

• 潔凈適配性佳：臺式輕量化設(shè)計(jì)，機(jī)身結(jié)構(gòu)簡潔易清潔，可適配半導(dǎo)體潔凈實(shí)驗(yàn)室環(huán)境，無多余揚(yáng)塵結(jié)構(gòu)，符合半導(dǎo)體精密加工的潔凈生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)

• 操作運(yùn)維便捷：搭載智能控制系統(tǒng)，人機(jī)交互界面簡潔直觀，工藝參數(shù)調(diào)試、配方存儲(chǔ)、程序調(diào)用操作簡便，適配科研人員常態(tài)化使用，設(shè)備故障率低、后期運(yùn)維成本可控

• 工藝可擴(kuò)展性強(qiáng)：可根據(jù)后續(xù)工藝升級需求，適配不同規(guī)格卡盤與輔助模塊，支持從實(shí)驗(yàn)室研發(fā)到小批量中試的工藝迭代，設(shè)備使用壽命與適配周期更長